Vishay推出五款业界首款能够以1.5V闸极极驱动电压提供低导通电阻值的器件。为帮助将功耗降至最少以及延长电池使用时间，便携式电子系统中的众多ASIC可在1.5V～1.65V的内核电源电压下营运。但迄今为止，由于缺乏可确保在1.8V电压下启动营运的功率MOSFET，如果不使用电平转换电路，设计人员难以利用这些低内核电源电压，从而增加了复杂性和功耗。

凭借日前推出的这些突破性的功率MOSFET，Vishay解决了这一问题，这些功率MOSFET是业界首款能够直接从1.5V内核电源电压营运且导通电阻低至45毫欧的器件。凭借低阈值电压以及确保可在1.5V闸极极驱动电压下营运的规范，这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路，并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。

日前推出的这五款功率MOSFET包含两款采用LITTLE FOOT TSOP-6封装的器件，这两款器件分别具有20V(Si3495DV)和-8V(Si3499DV)漏极到源极击穿电压以及在闸极极驱动电压为1.5V时分别为47毫欧和45毫欧的导通电阻。

日前推出的额外三款器件-8V Si8419DB、Si5499DC及Si1499DH分别采用MICRO FOOT、1206-8 ChipFET及SC-70封装。如同新型LITTLE FOOT器件一样，这三款器件的额定闸极极电压均为1.5V。凭借它们的超小型封装设计，这些器件还极大缩小了占位面积，实现了更灵活的终端系统设计。