??侠公司（Kioxia）宣布第八代2Tb四层单元（Quad-Level-Cell；QLC）样品开始供货BiCS FLASH 3D快闪记忆体技术。这款2Tb QLC设备将储存设备提升到高容量，将推动包括AI在内的多个应用领域成长。

Kioxia透过最新BiCS FLASH技术，运用缩放和晶圆键合技术的创新架构，实现了记忆体晶片的垂直和横向扩展。此外，该公司还实施突破性的CBA（CMOS 直接键结到阵列）技术，能够创造更高密度的装置和3.6Gbps介面速度。这些先进技术共同应用於2Tb QLC的建立，从而形成高容量的储存设备。

2Tb QLC配备的位密度约为高出2.3倍，写入功率效率约为比Kioxia目前的第五代QLC 装置高出70%，这是 Kioxia 产品中容量最高的。最新的QLC装置采用单一记忆体封装中的 16 晶片堆叠架构，实现先进的4TB容量。具有11.5 x 13.5mm的较小封装尺寸和1.5mm的封装高度。