高效能及低功耗成为产品设计的重要关键之一，新唐科技推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。为满足对高效能嵌入式计算需求日益增长的需求。新唐 NuMicro M2L31 微控制器，采用 Arm Cortex-M23 核心，并配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM（电阻式记忆体）和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款为可持续性和优异能效设计的低功耗产品。M2L31 系列支援两个 CAN FD 和两个 USB Type-C PD 3.0 接囗，并优先考虑稳健的安全功能来保护宝贵的数据资料。

对於电池管理、工业自动化和消费性周边设备等需高效能的应用而言，NuMicro M2L31 系列的低功耗能力显着提升电池寿命，减少频繁更换电池的需求。M2L31 提供三种低功耗模式：正常掉电、待机掉电和深度掉电，并确保不影响功能的正常运行，运行速度可达 72MHz。微控制器的典型运行电流在正常模式下仅为 60 μA/MHz，而在深度掉电模式下更是降至 0.5 μA。 其在无需 CPU 干预的情况下，通过低功耗串行接囗独立处理外围数据采集和数据处理的能力。

M2L31 系列整合基於与台积电合作开发的制程技术的 ReRAM。这种新型非挥发性记忆体透过避免传统快闪记忆体中耗时的「擦除後写入」过程，加速写入操作，同时提供了更低的能耗和更好的耐用性。M2L31 系列支援广泛的 I/O 和外围设备，并支援多达 16 通道的电容触控。多种封装选项满足大多数应用需求。过去ReRAM 主要用於 DRAM 或 NAND 快闪记忆体市场。随着新唐科技下一代 M2L31 微控制器的推出，工业和消费性领域的开发人员也能享受到 ReRAM 的诸多优势。