碳化矽（SiC）技术在交通、电网和重型商用车等中高压应用领域的采用日渐广泛。Microchip今日推出采用Augmented Switching专利技术的3.3 kV XIFM 随??即用mSiC栅极驱动器。该驱动器采用预配置模组设置，开箱即用，可大幅缩短开发人员设计和评估时间，帮助部署SiC解决方案并快速推进开发流程。

3.3 kV XIFM 随??即用数位栅极驱动器高度整合， 可搭配SiC高压电源模组，加速高压SiC 电源模组采用，进而简化并加速系统整合。

这款随??即用的解决方案已完成栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM数位栅极驱动器的结构紧凑，具备数位控制、整合电源和可提高抗噪能力的坚固光纤介面。该栅极驱动器具有预配置的「开/关」栅极驱动曲线，可量身定制以优化模组效能。它具有10.2 kV初级到次级强化隔离，内置监控和保护功能，包括温度和直流链路监控、欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、短路/过流保护（DESAT）和负温度系数（NTC）。这款栅极驱动器还符合铁路应用的重要规范EN 50155标准。

Microchip碳化矽业务部??总裁Clayton Pillion表示：「随着碳化矽市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV随??即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽频隙技术。与传统类比解决方案相比，该解决方案透过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。」

Microchip 的 mSiC产品包括具有标准、修改和客制化选项的 SiC MOSFET、二极体和栅极驱动器。3.3 kV XIFM随??即用mSiC栅极驱动器现已上市。