东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域。首批12款产品（全部为650V）已开始批量发货，其中7款产品采用TO-220-2L封装，5款产品采用DFN8×8封装。

东芝第三代650V SiC TRSxxx65H系列碳化矽萧特基二极体（SiC SBD）。（source：Toshiba）

新产品在第三代SiC SBD晶片中采用了新金属，优化第二代产品的萧基二极体元件（JBS）结构，它们实现先进的1.2V（典型值）的低正向电压，比上一代1.45V（典型值）低17%。它们还改善了正向电压和总电容电荷之间以及正向电压和反向电流之间的权衡，从而降低功耗且有助於提高设备效率。