Diodes公司宣布推出新款双向瞬态电压抑制器（TVS）二极体，以满足市场妥善保护高速资料连接埠的需求。D3V3Z1BD2CSP以满足保护静电放电（ESD）冲击和突波事件。这款产品的主要应用为高效能运算硬体、智慧型手机、笔记型电脑和平板电脑、显示器及游戏机的I/O连接埠。

Diodes公司宣布推出新款双向瞬态电压抑制器（TVS）二极体，以满足市场妥善保护高速资料连接埠的需求。

虽然许多竞争产品必须在设计上做出折衷，择一选择强大的突波保护特性或低输入电容，D3V3Z1BD2CSP可以同时提出这两项优点。它极低的电容值（典型值为0.3pF）不会干扰或妨碍高速资料通讯，确保维持讯号完整性。

它的高峰值脉冲电流（典型值10.5A）和低箝位电压（5.3V）保障I/O连接埠及其敏感的电子零件，不会受到瞬态电压的影响。因此避免了频繁热??拔等活动造成电性过度应力损害的风险。D3V3Z1BD2CSP符合IEC61000-4-2抗扰性标准，对±20kV空气和接触放电提供强大的ESD保护，藉此提高系统可靠性。

D3V3Z1BD2CSP可用於保护I/O介面，如USB Type-C、DisplayPort、HDMI和SD卡，承载的高速资料传输速率达20Gbps。-55?C到+150?C的作业温度范围，在具有挑战性的产品应用环境中也能确保持续保护。

Diodes的D3V3Z1BD2CSP TVS采用极精巧的DSN0603晶圆级晶片尺寸封装，尺寸仅为0.6mm x 0.3mm x 0.3mm。