贸泽电子（Mouser Electronics）供应多款英飞凌通用型MOSFET。对於正在寻找MOSFET以求满足专案、定价或物流要求的设计人员，英飞凌提供广泛的高电压和低电压MOSFET产品组合，能为各种应用提供弹性、价值和调整能力。

贸泽电子开始供应英飞凌专为电源转换应用设计的各种通用型MOSFET

贸泽电子提供的英飞凌通用型MOSFET涵盖适用於最高250V设计的低电压版本，另有适用於500V至900V设计的高电压选项。低电压MOSFET包含各种单N和P及双N和P通道装置，汲极-源极崩溃电压范围介於20V至600V。

这些装置的汲极-源极电阻额定值为1.1 mΩ至30 Ω，连续汲极电流范围为100 mA至260A。这些低电压MOSFET的作业温度范围为-55。C至+175。C，而且符合AEC-Q101标准。

高电压MOSFET的汲极-源极崩溃电压范围介於500V至900V、汲极-源极电阻介於77mΩ至4.68Ω，连续汲极电流范围为1A至54.9A。装置最低作业温度低至-40。C，功耗范围为5W至500W。

贸泽供应的英飞凌通用型MOSFET有多种封装选项，包括SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252（DPAK）、SOT-223和TO-220。所有装置均受到英飞凌线上设计工具、模拟模型和完整产品支援文件的支援。

这些通用型MOSFET非常适合各种电源转换和管理应用，可整合到需要电池反向保护功能、在备用电源间切换电源，或可断开非必要负载的设计之中。目标应用包括交换式电源供应器、充电器和变压器、照明、电视电源供应器、伺服器/电信装置、电池供电应用、马达控制和驱动器，以及电池管理系统。