英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950 V超接面（SJ）技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性，采用整合的快速二极体，确保元件坚固耐用，同时降低了BOM（物料清单）成本。

英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列，整合快速二极体，满足大功率照明和工业SMPS应用的需求

新产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造，主要适用於照明系统以及消费与工业领域的SMPS应用。

产品适用於返驰式、PFC以及LLC/LCC设计，包括半桥式或全桥式组态。由於整合了快速二极体和超低逆复原电荷（Qrr），因此可提供耐用又可靠的快速二极体硬切换，并成为此电压等级中最耐用的SJ MOSFET，能适用於目标应用中的所有拓扑。

此外，大幅降低切换损耗（EOSS、QOSS及Qg）可提升硬切换和软切换应用的效率，且与900 V CoolMOS C3 SJ MOSFET相比，MOSFET温度最多可降低4。K。新产品将轻负载和全负载的PFC效率提高0.2%以上，同时符合LLC效率方面的效能要求，更有助於迈向更环保的世界。

新产品系列降低了各种SMD和THD封装元件的导通电阻（RDS（on））值，最高可降低55%，例如DPAK封装元件的导通电阻值为450 m?或TO247封装元件的导通电阻值为60 m?。

设计人员可透过更小的封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间，降低BOM与生产成本。闸极源极??值电压（V（GS）,th）为3 V，而最小的V（GS）,th变化为±0.5 V，可方便新元件的设计导入和驱动，提高了设计自由度。

利用低??值电压和容许值的缘故，可避免使用MOSFET线性模式运作，降低了驱动电压和闲置损耗。此外，与CoolMOS C3相比，新产品的闸极电荷提升了60% ，大幅降低驱动损耗。而且能够达到人体放电模型（HBM）2级静电放电敏感度标准，确保ESD的稳健性，进而减少与ESD有关的设备故障，提高了产量。

全新950 V CoolMOS PFD7系列具备高度精细化的产品组合并采用SMD和THD封装，外型尺寸更小，同时提高功率密度和节省BOM成本。