意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出两款采用主流架构且内建1200V碳化矽（SiC）MOSFET的STPOWER电源模组。两款模组皆采用意法半导体的ACEPACK 2封装技术，功率密度高且组装简易。

意法半导体推出两款灵活多变之电源模组，简化SiC逆变器设计

第一款模组A2F12M12W2-F1为一个全桥架构（four-pack）四组模组，可为DC／DC转换器等电路提供方便之高功率密度配置的全桥功率变换解决方案。第二款A2U12M12W2-F2模组则采用三电平T型逆变拓扑，兼具导通效能和开关效能，提供稳定的输出电压品质。

这些模组中的MOSFET皆采用意法半导体第二代SiC技术，其Rds(on) x晶片面积品质因数表现傲人，能确保开关能处理大电流的能力，并将功率损耗降至最低。每款晶片的典型导通电阻Rds(on)为13mΩ，因此，全桥拓扑和T型拓扑均适用於高功率设计应用，因为有极低的功率损耗，让简单散热管理设计的模组具备优秀的能源效率。

ACEPACK 2封装的配置紧密且功率密度高，其采用高效氧化铝基板和直接覆铜（Direct Bonded Copper，DBC）晶片贴装技术。外部连接采用压接引脚，方便於潜在的严峻环境中组装，例如，电动汽车及充电桩、储能和太阳能的功率转换。该封装的绝缘耐压为2.5kVrms，内建一个NTC温度感测器，可用於系统保护诊断功能。

A2F12M12W2-F1全桥架构（four-pack）四组配置和A2U12M12W2-F2三电平T型逆变器模组现已量产。