Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出业界最低导通电阻RDS（on）3.3 kV碳化矽MOSFET和市场上最高额定电流的碳化矽SBD，让设计人员可以充分利用其耐固性、可靠性和性能。Microchip扩大的碳化矽产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航太和工业应用的设计人员提供了一套可以开发出更小、更轻和更高效的解决方案的工具。

Microchip3.3 kV碳化矽SiC功率元件应用图

许多矽基设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化矽为实现这些目标提供了一种有效的替代方案，但到目前为止，3.3kV碳化矽功率元件的市场供应是有限的。Microchip的3.3 kV MOSFET和SBD进一步完善了该公司包括700V、1200V和1700V裸晶、分离元件、模组和数位栅极驱动器在内的碳化矽综合解决方案组合。

Microchip的3.3 kV碳化矽功率元件包括业界最低导通电阻为25 mOhm的MOSFET和业界最高额定电流为90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸晶或封装形式。这些更强的效能水准能协助设计人员简化设计，创建功率更高的系统，并使用更少的并联元件来实现更小、更轻和更高效的电源解决方案。

Microchip分离产品业务部??总裁Leon Gross表示：「我们专注於开发能为客户提供快速实现系统创新能力的解决方案，并协助其最终产品更快的取得竞争优势。我们全新的3.3 kV碳化矽功率产品系列能够让客户轻松、快速而充满信心地采用高压碳化矽，与矽基设计相比，这一振奋人心的技术带来的诸多优势能让客户从中受益。」

在过去三年里，Microchip已经发布了数百个碳化矽功率元件和解决方案，确保设计人员能够找到满足其应用需求的合适的电压、电流和封装。Microchip在设计所有碳化矽MOSFET和SBD时都把客户的信任放在心中，提供业界领先的产品耐固性和可靠性。公司遵循由客户决定何时停产的惯例，只要客户需要，Microchip就能继续生产这些产品。

客户可以将Microchip 的碳化矽产品与公司的其他元件相结合，包括8位元、16位元和32位元微控制器（MCU）、电源管理设备、类比感测器、触摸和手势控制器以及无线连接解决方案，进而以较低的总体系统成本构建完整的系统解决方案。

与Microchip的MPLAB Mindi类比模拟模组和驱动板叁考设计相容的一系列碳化矽SPICE模型为扩大後的碳化矽产品组合提供支援。智慧配置工具（ICT）使设计人员能够为Microchip的AgileSwitch系列可配置数位栅极驱动器的高效碳化矽栅极驱动器快速建模。