Diodes 公司（Diodes）推出DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器。此款高频装置内建自举式二极体，能够在半桥配置中驱动两个通常用於控制马达及DC-DC电力传输的 N 通道 MOSFET。可锁定无线电动工具、电动自行车和自动操作机器人设备等高功率产品应用项目，可提升效率并缩小体积，满足与日俱增的市场要求。

DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器

DGD0579U的100V浮动高侧驱动器让要求苛刻的大功率产品应用项目，使用上更为灵活。较短的传播延迟（通常为60ns）与延迟匹配（在10ns内），可以提高切换速度及减少死区时间，创造出体积更小巧、更高效的电源系统。

装置直接内建先进的MOSFET保护机制，与传统的独立式解决方案相比，此举提高系统可靠性、最隹化调整使用电路板空间的情况，还进一步减少元件数量。这些机制包括防止交叉传导，可避免高侧和低侧MOSFET同时导通；以及欠压锁定（UVLO）功能，可用於解决潜在电源损耗。

DGD0579U具有用於电源管理的启动接脚和超低（<1μA）待机电流，有助於延长电池运作时间。DGD0579U相容於来自微控制器和PWM控制器IC的控制讯号，支援TTL及CMOS逻辑电平输入（低至3.3V）。

DGD0579U栅极驱动器采用紧凑型W-DFN3030-10封装，占地面积为3mm x 3mm，外形高度为0.75mm。