东芝(Toshiba)推出两款碳化矽(SiC)MOSFET双模组：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的MG600Q2YMS3；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的MG400V2YMS3。此为东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成1200V、1700V和3300V元件的阵容。

东芝推出两款1200V和1700V碳化矽MOSFET双模组，帮助实现尺寸更小、更高效率的工业设备。 (source:Toshiba)

新模组的安装方式能够与广泛使用的矽(Si) IGBT模组相容。其低能量损耗特性满足工业设备对更高效率和更小尺寸的需求，适合于轨道车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、马达控制设备及高频DC-DC转换器应用。