太空应用电源必须可以承受极端的太空环境，并在抗辐射技术环境中运作无碍，防止遭受到极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响失效发生事端，导致降低太空系统的效能并干扰运行。为满足此一要求，Microchip今日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）获得商业航太和国防太空应用认证。

Microchip抗辐射型M6 MRH25N12U3矽电晶体可以承受极端的太空环境，增强电源电路可靠性。

Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、马达驱动和控制以及通用开关。这款MOSFET元件能够承受恶劣的太空环境，增强电源电路的可靠性，并以更高的效能满足MIL-PRF19500/746的所有要求。

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未来的卫星系统，也可作为现有系统的备用电源。

新元件可以承受高达100 krad和300 krad的总电离剂量（TID）以及高达87 MeV/mg/cm2的线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）。在验证测试中，元件的晶圆批次耐辐射合格率达到100%。

Microchip分离式产品业务部副总裁Leon Gross表示：「Microchip进入耐辐射MOSFET市场，体现了我们致力于为客户提供支援，为航空航太和国防OEM厂商和整合商提供高效能解决方案和持续供应的长期承诺。」

M6 MRH25N12U3属于Microchip丰富的航空、国防和航太技术产品线。此外，搭配微控制器（MCU）和类比产品，能够因应大功率系统控制、闸极驱动器和功率级的需求。 Microchip在不断推出新技术的同时，还寻求与航太产品制造商和整合商合作，保障现有和未来系统供应链的稳定。