英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式，导通电阻(R_DS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷，因此适合高功率密度应用，如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等。

新款EasyDUAL CoolSiC MOSFET 1200 V模组采用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板，可降低至散热片之热阻高达40%。

EasyDUAL模组之FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70装置采用最新CoolSiC MOSFET技术，闸极氧化层可靠度极隹。经过改良的DCB材料导热性，可降低至散热片之热阻(R_thJH)高达40%。CoolSiC Easy模组结合新型AIN陶瓷，不仅可提高输出功率，还能降低接面温度，进而大幅延长系统寿命。

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组之FF11MR12W1M1_B70及FF6MR12W2M1_B70装置已经上市。