半导体供应商意法半导体（ST）推出新MasterGaN4，其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??（GaN）功率电晶体，以及优化的闸极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计。

意法半导体推出新款MasterGaN4元件，实现高达200瓦的高效能功率转换。

MasterGaN4是意法半导体MasterGaN系列的最新产品，解决了复杂的闸极控制和电路配置挑战，并进一步简化了宽能隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接与控制器连线，例如，霍尔效应感测器或微控制器、DSP处理器、FPGA可程式设计元件等CMOS晶片。

GaN电晶体的优势包括出色的开关性能、更高的运作频率、更高效能效，而且发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性元件和散热器，以设计出更小、更轻的电源、充电器和转接头。MasterGaN4非常适用於对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如，有源钳位反激式和有源钳位正激式转换器。

4.75V-9.5V的宽电源电压便於MasterGaN4与现有电源轨连线。内建保护功能，包括闸极驱动器互锁、高低边欠压锁定（UVLO）以及过热保护，可进一步简化应用设计。另外还有一个专用的关断脚位。

同时，意法半导体还推出一个MasterGaN4原型开发板（EVALMASTERGAN4）。这块评估板提供使用单一或互补讯号驱动MasterGaN4的全部功能，以及一个可调的死区时间产生器。使用者可以灵活地施加一个单独输入讯号或PWM讯号，??入一个外部自举二极体，隔离逻辑元件和闸极驱动器电源轨，以及使用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。

MasterGaN4现已量产，其采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。