当代的电源系统设计需要高功率密度和精巧的外型尺寸，进而得到最高的系统级效能。英飞凌科技专注於强化元件级的系统创新，来应对上述挑战。继2月份推出25V装置後，英飞凌再推出OptiMOS 40V低电压功率MOSFET，采用源极底置(Source-Down；SD)的PQFN封装，尺寸为3.3 x 3.3mm²，适用於伺服器的SMPS、电信和OR-ing，还适用於电池保护、电动工具和充电器等应用。

OptiMOS SD 40V低电压功率MOSFET提供两种版本：标准版和中央闸极版。中央闸极版针对多部装置并联作业进行最隹化。

英飞凌指出，SD封装的内部采用上下倒置的晶片，如此一来，源极电位(而非汲极电位)就能透过导热片连接至PCB。与现有技术相比，该封装最终可使R_DS(on)锐减25%。

此外，与传统PQFN封装相比，接面与外壳间的热阻(R_thJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS可承受高达194A的高连续电流。

经过最隹化的配置可能性和更有效的PCB利用，SD封装更可实现更高的设计灵活性与效能。

OptiMOS SD 40 V 低电压功率MOSFET提供两种版本：标准版和中央闸极版。中央闸极版针对多部装置并联作业进行最隹化。两个版本皆采用PQFN 3.3 x 3.3mm²封装，即日起接受订购。