半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出首款嵌入矽基半桥驱动晶片和一对氮化??（GaN）电晶体的MasterGaN产品平台。该整合化解决方案将有助於加速最高400W之下一代轻量节能消费性电子、工业充电器，以及电源转接器的开发速度。

ST全新嵌入矽基半桥驱动晶片和一对氮化??（GaN）电晶体的MasterGaN产品平台相较矽充电器和转接器，尺寸缩小80%，重量减轻70%，且充电速度提升3倍

GaN技术使电力装置能够处理更大功率，同时装置本身将变得更小、更轻，而且更节能。这些改良将会改变智慧型手机超快充电器和无线充电器、PC和游戏机的USB-PD高功率配置转接器，以及太阳能储电系统、不断电供应系统或高阶OLED电视机，还有云端伺服器等工业应用。

在目前的GaN市场上，功率电晶体和驱动IC通常是离散元件，这使设计人员必须学习两者间的协同作业，以达到最隹性能。意法半导体的MasterGaN绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并获得预期的性能，同时使封装变得更小、更简单、电路元件更少，而且系统变得可靠性更高。透过GaN技术和意法半导体整合式产品的优势，采用新产品的充电器和转接器将相较普通矽基解决方案尺寸缩减80％，重量亦降低了70％。

意法半导体执行??总裁、类比产品分部总经理Matteo Lo Presti表示，「ST独有的MasterGaN产品平台透过我们经过市场检验的专业知识和设计能力，再整合高压智慧功率BCD制程与GaN技术而成，能够加速开发兼具节省空间、高效能的产品。」

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，其整合两个半桥配置的GaN功率电晶体和半桥驱动晶片。

MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度仅1mm。