安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一款适用於太阳能逆变器应用的全SiC功率模组，该产品已被电源和热管理方案供应商台达电选用，用於支持其M70A三相光伏组串逆变器产品组合。

NXH40B120MNQ系列全SiC功率模组整合了一个1200V、40mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200V，40A SiC升压二极管。

NXH40B120MNQ系列全SiC功率模组整合了一个1200 V、40mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。SiC技术提供了要求高能效水准的太阳能逆变器等应用中所需的低反向恢复和快速开关特性。

安森美半导体先进电源分部高级??总裁Asif Jakwani表示：「碳化矽技术有潜力变革能源市场。安森美半导体开发的全SiC集成功率模组解决在太阳能逆变器在提升功率水准下对更高系统能效的需求，并证实SiC技术的成熟。」

台达电光伏逆变器事业部主管Raymond Lee表示：「我们专注於提供创新、清洁和节能的方案，以打造更美好的明天，我们一直在寻求与可帮助我们实现最高能效、减小产品体积和重量并满足全球太阳能光伏市场需求的供应商合作。选用安森美半导体的全SiC功率模组用於我们的M70A 70kW三相光伏组串逆变器，因为它们提供同类最隹的性能，再结合我们在高能效电力电子领域的独特专业知识，使我们的产品能实现高达98.8％的峰值能量转换能效。」

作为安森美半导体不断增长的基於宽能隙(WBG)技术的功率集成模组(PIM)阵容的一员，NXH40B120MNQ整合度高，引脚分配针对逆变器设计进行了最隹化。通过使用SiC装置，功率模组提供低导通和开关损耗，从而支持使用更高的开关频率，有助於提高逆变能效。 这些模组易於使用，可根据客户的喜好，采用无焊压合连接和客户定义的热接囗选项。

NXH40B120MNQ全SiC功率模组有2通道和3通道版本，还有2通道模组NXH80B120MNQ0，整合了一个1200V、80mΩ SiC MOSFET和1200V、20A SiC二极管。