英飞凌科技股进一步壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET 产品阵容，推出三款采用D²PAK 7pin+封装的新装置。这些新装置具有极低的R_DS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新的MOSFET瞄准电池供电应用，包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。

相比标准的D2PAK 7pin+封装而言，全新系列元件的RDS(on)较上一代元件减少13%，载流能力提升多达50%。

全新D²PAK 7pin+封装使得种类已相当丰富的StrongIRFET封装更加壮大。此次推出新装置，有助於提供更理想的功率元件选项，以因应各种设计挑战。

另外，全新封装的可互换引脚排列选项可带来出色的设计灵活性。相比标准的D²PAK 7pin+封装而言，该全新系列元件的R_DS(on)较上一代元件减少13%，载流能力提升多达50%。以标竿产品 IRL40SC240 为例，这款40V装置的R_DS(on)为0.65mΩ，载流能力为360A。

该封装经最隹化，可容纳面积增加多达20%的裸晶，同时具有与标准D²PAK 7pin+相同的占板面积与脚位配置。因此，可以容易取代传统的D²PAK 7pin+与H²PAK封装。此外，产品系列可提供标准准位和逻辑准位的闸极驱动，为设计人员提供更多灵活的驱动方案。

采用D²PAK 7pin+封装的StrongIRFET已开始供货。