推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor），继续扩充用於工业电机驱动应用的产品阵容，以进一步帮助客户解决他们的具体设计挑战。

安森美半导体推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分别为2A5、35A和50A版本的转移模制功率整合模组（TM-PIM）

电机驱动系统正随着工业自动化及机器人急速增长。这些系统要求在恶劣工业环境中达到高能效、精准的测量、准确的控制及高可靠性。要有效地开发应用於工业电机驱动的半导体，需要先进的设计、整合主动和被动元件的能力、精密的封装包括基板材料，以及高品质和可靠性标准。

安森美半导体推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分别为2A5、35A和50A版本的转移模制功率整合模组（TM-PIM），用於1200伏（V）的应用，提供转换器-逆变器-制动（CIB）和转换器-逆变器（CI）配置版本。

这些模组包括6个1200V IGBT、6个1600V整流器和一个用於系统级温度监控的负温度系数（NTC）热敏电阻。CIB版本使用一个附加的1200V IGBT和一个二极管。新推出的模组采用转移成型封装，延长温度及功率的循环寿命。模组尺寸仅为73x40x8mm，具有可焊接??，CIB和CI版本均具有一个标准化的??脚输出。

公司同时推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，扩充了智慧功率模组（IPM）产品阵容，包括额定电压650V和1200V，以及额定电流10A至75A。这些三相反流器整合了额定短路的沟槽型绝缘闸双极电晶体管（Trench IGBT）、快速恢复二极管、闸极驱动器、 自举电路、可选的NTC热敏电阻和保护，透过一个额定2500Vrms/分钟的隔离提供紧凑可靠的模组，获UL 1557认证。这些IPM具有直接键结铜基板和低损耗矽的特性，延长功率循环寿命和散热能力。

透过片上电流隔离，NCD57000和NCD57001 IGBT闸极驱动器藉由减低系统复杂性实现紧凑、高效和可靠的闸极驱动器设计。 这些元件分别提供4A/6A供应电流和汲取电流，同时还整合了去饱和（DESAT）、米勒钳位、欠压锁定（UVLO）保护、使能（Enable）和稳压V_REF。

NCS21871零点漂移运算放大器以一个45μV低输入偏移电压提供精确的讯号调节，同时从-40。C至+125。C维持该准确度，低输入偏移漂移为0.4μV/。C。这些叁数使其非常适合用於低边电流检测。

NCP730 LDO调整器提供150mA，输出电压准确度为±1％，工作输入电压范围从2.7V至38V和具有低压差。整合的缓启动可抑制涌入电流，在超载情况下提供短路和过热保护，使元件非常适合用於工业自动化应用。