东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出一款驱动中高电流绝缘栅双极型电晶体（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦器TLP5231，其适用於工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。此预驱动光耦内置多种功能，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品於今日起开始出货。

新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中高电流IGBT和MOSFET。

目前现有产品[2]需要使用双极型电晶体构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流，有助於降低功耗。

通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小，TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求，从而简化设计。

其他功能包括：在检测到V_CE(sat) 过流後使用另一个外部N沟道MOSFET控制「栅极软关断时间」；另外，除了能通过监控集电极电压检测到V_CE(sat) 之外，还有UVLO检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品不具备的新特性，能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

主要特性

．内建有源时序控制的双输出，适用於驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。

．当检测到过流时，通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。

．当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时，故障信号会输出到一次侧。

应用领域

．IGBT与功率MOSFET栅极驱动（预驱动）

．交流电机和直流无刷电机控制

．工业逆变器与不断电供应系统（UPS）

．光伏（PV）电源调节系统