SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低导通电阻(RDS(ON))可以最大限度地降低传导损耗。此外，该器件的680pF低输出电容(Coss)和28.7nC的最隹化闸极电荷(Qg)则可减少与开关相关的功率损耗。

威世SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET的设计初衷就是要提高功率转换拓扑中的功率密度和效率。其采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低於2mΩ级别中的最低输出电容。

与采用6x5mm封装的类似解决方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷电路板(PCB)空间减少了65%，从而实现了更高的功率密度。它们通过了100%的RG和UIS测试，符合RoHS要求且不含卤素。

这款N-Channel MOSFET的应用包括AC/DC电源中的同步整流；针对电讯、伺服器和医疗设备的DC/ DC转换器中的初级和次级侧开关；用於伺服器和电讯设备中电压调节的半桥功率级和降压-升压转换器；电讯和伺服器电源中的OR-ing功能；用於开关电容器或开关箱转换器的功率级；电动工具和工业设备中的电机驱动控制；以及电池管理模组中的电池保护和充电。