英飞凌科技持续专注於解决现今电源管理设计面临的挑战，透过元件层级的强化实现系统创新。源极底置(Source Down)是符合业界标准的全新封装概念，英飞凌已推出首批基於该封装概念的功率MOSFET－采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS 25V。这款装置在MOSFET性能方面树立了新的产业标竿，不仅导通电阻降低，还具有业界领先的散热管理指标，其应用范围非常广泛，包括：马达驱动、SMPS(包括伺服器、电信和OR-ing)及电池管理等。

新封装概念将源极(而非传统的汲极)与导热片相连。除了实现新的PCB布局，更有助於实现更高的功率密度和性能。

新封装概念将源极(而非传统的汲极)与导热片相连。除了实现新的PCB布局，更有助於实现更高的功率密度和性能。目前推出两种不同封装的版本：分别是源极底置标准闸极(Standard-Gate)和源极底置置中闸极(Center-Gate)的PQFN 3.3x3.3mm封装。源极底置标准闸极的封装是基於既有的 PQFN 3.3x3.3mm引脚输出组态。电子连接的位置保持不变，使得全新的源极底置封装能直接取代现行标准的汲极底置(Drain-Down)封装。另外针对置中闸极版本，其闸极引脚被移至中心位置，可轻松达成多个MOSFET并联。由於汲极到源极的沿面距离增加，因此可将多个装置的闸极连接到同一PCB层上。此外，将闸极连接移至中央位置还能使源极面积变大，亦有助於改善装置的电子连接。

这项创新技术可大幅降低导通电阻，较现行技术减少多达30%。相较於目前的PQFN封装，结壳热阻亦获得大幅改善。由於寄生效应降低，PCB耗损改善，加上出色的散热效能，新封装概念将为任何当代的工程设计带来更多附加价值。

两款采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS源极底置25V功率MOSFET目前已开始供应。