华邦电子今日宣布推出新型1.8V 2Gb NAND Flash和2Gb LPDDR4x动态随机存取记忆体8.0mm x 9.5mmx 0.8mm的多晶片封装产品 (以下简称MCP) 。

新型W71NW20KK1KW MCP所采用的非挥发性快闪记忆体与高速动态随机存取记忆体，为5G终端设备应用提供其所需成本和存储容量之最隹化组合

新的W71NW20KK1KW产品将可靠的SLC NAND Flash以及高速、低功耗的LPDDR4x动态随机存取记忆体集成在一个单一封装中，完整提供使用於办公室与家庭的5G终端设备相关应用所需的存储容量。

一般而言，行动式5G终端设备通常需要更大的记忆体，2Gb NAND / 2Gb DRAM的记忆体容量非常适合在固定式5G终端设备中运行。透过MCP封装组合，华邦的W71NW20KK1KW使5G终端设备的制造商能用恰如其分的容量和较低的生产成本满足系统需求。

过往，在通往高速宽频网路的最後一哩路 (last mile)多数采用有线连结的方式。预期采用W71NW20KK1KW达成成本最隹化的新一代5G终端设备将有助於消费者加速其采用5G以替代固定线路铜缆或光纤xDSL。

华邦快闪记忆体产品企划经理黄信伟表示：「在家庭和办公室建置固定式5G终端设备将是下一阶段行动网路市场的成长契机，而华邦的2Gb + 2Gb MCP是最理想的选择。」

「华邦是目前全球唯一一家拥有晶圆厂并同时生产NAND和LPDDR4x的MCP制造商。华邦完整掌握其所有记忆体零组件之生产，因此即使客户大量订购W71NW20KK1KW MCP，也可以100％信赖华邦对供货数量、交期、品质和服务的保证。」

W71NW20KK1KW是一款149球BGA封装的MCP，由2Gb SLC NAND Flash和2Gb LPDDR4x 动态随机存取记忆体组成。其中的SLC NAND Flash仅需4位元纠错码（ECC）引擎即可提供出色的耐久度和资料正确性，然而该装置2K Byte + 128 Byte的页面容量亦能支援到8位元纠错码 (ECC)。

W71NW20KK1KW的NAND Flash提供具有8位元汇流排，由64页组成一个区块，最快页面载入时间为25μs，一般页面写入时间为250μs。

LPDDR4x动态随机存取记忆体晶片可支援高达1866MHz的工作时脉，满足LVSTL_11介面需求，并具有8个内部分区，可用於并行操作。它提供高达4267MT / s的数据速率，支援5G通讯所需的快速资料传输速率。

W71NW20KK1KW现已投入量产。