是德科技（Keysight）日前宣布旗下的元件建模和特性分析软体套件推出最新版本，包含积体电路评估与分析软体（IC-CAP）2016、模型建构软体（MBP）2016，以及模型品质保证软体（MQA）2016。新的软体版本可协助设计工程师以更快的速度分析半导体元件的特性并建构模型。

新版软体进一步增强建模和特性分析效率，并支援先进模型，显著加快量测速度。

Keysight IC-CAP 2016软体是元件建模程式，可针对当今的半导体元件建模流程，提供强大的评估和分析功能。 IC-CAP 2016还提供完整的DynaFET系统解决方案，可用于功率放大器（PA）应用，以协助工程师建构氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）HEMT模型。 IC-CAP内含量测和建模软体，可萃取先进设计系统（ADS）DynaFET，亦即内部开发的GaAs和GaN HEMT元件模型。

ADS DynaFET模型具有两个主要优点：可准确预测因为发热和诱捕现象所导致的动态记忆效应，进而以前所未有的准确度，预测增益和功率附加效率（PAE）。对于RF PA电路设计，这些是非常重要的优点。这套专用量测软体可在是德科技非线性网路分析仪（NVNA）上执行，以收集大量的信号资料。在不同RF功率、偏压点和输出阻抗上量测到的动态负载线所形成的波形，可直接馈送入IC-CAP 2016的萃取套件。此外工程师可使用类神经网路（Artificial Neural Network）技术萃取模型，并将其直接用于ADS软体。

IC-CAP 2016另一个重要特色是，大幅提高了Keysight E5270、B1500A和B1505A仪器驱动程式的量测速度，相较于先前的软体版本，速度整整加快了三倍。如此一来，工程师不用再像过去一样花费冗长时间来量测大量资料，而且还可获得更高的准确度。新的仪器驱动程式已加入IC-CAP 2016，以便支援Keysight E4990阻抗分析仪和E5061B网路分析仪。

产品特色

*IC-CAP提供完整的DynaFET系统解决方案，可用于GaN和GaAs HEMT元件建模，并大幅加快量测速度

*BMP支援适用于FD-SOI技术的BSIM-IMG

*MMP支援混合SPICE语法和先进的16 nm TSMC建模介面(TMI)库