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联电率光推出0.13微米2M SRAM
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2000年05月21日 星期日

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就当台积电5月16日即将于美国矽谷举办年度技术论坛研讨会,并陆续发布0.15微米的多项产品成功于近日量产之际,台积电头号竞争对手联华电子5月15日宣布,已成功采用0.13微米逻辑制程产出2M SRAM晶片,并于五月初产出,良率达到一定水准,成为业界宣布最早量产0.13微米的产品。联电预估,0.13微米的产品可望于年底前进入量产阶段;台积、联电晶圆代工双雄隔海叫阵、对战的热度已再度升温。

關鍵字: 0.15微米  0.13微米  台積電  联华电子  静态随机存取内存 
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