日立制作所宣布试产全世界最高速的静态随机存取内存(SRAM)。日晶产业新闻报导，日立制作所开发的新内存，记忆容量为一兆位(Mb)，访问时间为550微微秒，预定今年内推出的下一代大型主机，即将搭配新技术制造的SRAM，适合高密度机体的金属氧化半导体(MOS)晶体管，会在高电压下受损，因此很难与高速、但容易产生高电压的双及晶体管组合在一起。