为满足下一代连网装置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES推出研发的最新半导体技术：22FDX平台，能达到如FinFET的性能和能效，成本趋近于28奈米平面式（Planar）技术，适用于不断推陈出新的主流行动、物联网、RF连结及网路市场。

22FDX提供物联网、主流行动、RF连结和网路市场中兼具性能、功耗和成本之选择。

虽然有些应用会要求到3D FinFET电晶体顶级性能，但多数的无线装置需要的是性能、功耗和成本之间的最佳综合考量。运用22nm 2D FD-SOI技术（Fully Depleted Silicon-on-Insular；全空乏绝缘覆矽），22FDX提供了成本敏感应用的选择途径。凭借0.4伏特的运作电压，达到超低动态功耗、更低热效应，以及更精巧的最终产品尺寸规格。相较于28nm，22FDX晶粒尺寸缩减20％，光罩数目减少10％；而相较于foundry FinFET，更减少近50％的浸润式微影层。

GLOBALFOUNDRIES公司营运长Sanjay Jha表示，22FDX平台让客户善用最佳的功耗、性能和成本之综合表现，推出有别于市场的产品。 22FDX率先推出即时系统软体可控制电晶体特性，系统设计师能够动态平衡功率、性能和漏电。此外，对于RF和类比整合来说，这个平台提供了调整弹性同时具备能源高效率。

22FDX运用GLOBALFOUNDRIES在德国德勒斯登厂先进300mm生产线上28奈米高量平台来生产。这项技术奠基于对欧洲最大的半导体晶圆厂近二十年的长期投资，并且预示了德国矽谷地区发展的新扉页。

GLOBALFOUNDRIES在德勒斯登发布的FDX平台上投资了2亿5千万美金作为技术发展和早期22FDX产能建立，届时自2009年以来对于Fab 1总投资额将超过50亿美金。同时也计画进一步投资以因应客户需求。此外，GLOBALFOUNDRIES与研发团队和业界龙头合作，共建稳健生态系统，不但加速产品上市时间并且提供​​22FDX系列各产品。

GLOBALFOUNDRIES22FDX平台实现用软体控制电晶体特性，以达到在静态电源、动态电源以及效能间作到即时调适。并包含一系列多元产品，符合不同应用需求：

‧22FD-ulp：针对主流低成本智慧型手机市场，超低功耗产品的功能提供了FinFET之外另一种选择。透过基底偏压技术，22FD-ulp比起0.9伏特28nm HKMG，功耗能够降低超过70%，而功率和性能都媲美FinFET。对于部分物联网和消费应用，平台可在0.4伏特下运作，并相较于28nm HKMG能减少90%的功耗。

‧22FD-uhp：运用类比整合的网路应用，22FD-uhp能在最小能耗的情况达到与FinFET同级超高性能。 22FD-uhp客制化设计包含顺向体偏压、应用最佳化金属堆叠和支援0.95v驱使电压。

‧22FD-ull：超低漏电性能适用于可穿戴和物联网装置，具备与22FD-ulp相似功能，将漏电降至最低1pa/um。结合低运转功率、超低漏电和弹性基底偏压特性，能够开发出全新等级，功耗大幅减低的电池供电穿戴装置。

‧22FD-rfa：此一射频类比产品提供更高的资料传输速率以及较低系统成本下50%的功耗减省，能够满足包括LTE-A行动接收器、高阶MIMO Wi-Fi整合晶片以及毫米波雷达在内等大量射频应用极为严苛的要求。主动射频元件后闸功能则能降低甚至免除主要射频讯号路径线路中复杂的补偿电路，射频设计者因而可以提取出更多内在的Ft效能。

GLOBALFOUNDRIES与重要客户和生态系统伙伴密切合作，钻研最佳设计方法和完整的基础与复杂专利开发。 2016下半年将开始提供设计初始套件和初版制程设计套件，以及进行风险生产。