因应工作负载要求的日益严苛，为了充分发挥运算基础架构的最大价值。美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。MRDIMM针对记忆体需求高达每DIMM ??槽128GB以上的应用，美光 MRDIMM 的效能更胜目前的矽晶穿孔型（TSV）RDIMM，实现更高频宽、更大容量、更低延迟，以及更高的每瓦效能，加速记忆体密集型如虚拟化多租户、HPC 和 AI 资料中心等的工作负载。

美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。

美光最新推出的创新主记忆体解决方案MRDIMM采用DDR5 的物理与电气标准，带来更先进的记忆体，每核心的频宽与容量双双提升，为未来运算系统做好准备，满足资料中心工作负载日益成长的需求。MRDIMM支援从32GB到256GB的容量范围；提供标准尺寸和加高尺寸（TFF）两种规格，适用於1U和2U高效能伺服器。TFF模组采用先进散热设计，提升资料中心的冷却效率，并优化记忆体密集型工作负载的系统总能耗。采用 256GB TFF MRDIMM，资料中心可享受整体拥有成本（TCO）优势，大胜传统TSV RDIMM。

MRDIMM采用DDR5 介面和技术，能与现有的 Xeon 6 CPU 平台无缝相容，为客户提供选择弹性。为客户带来更高频宽、更低延迟，以及多种容量选择，适用於HPC、AI及其他大量工作负载。今日开始送样的记忆体是美光MRDIMM 系列的第一代产品，与Intel Xeon 6处理器相容。美光 MRDIMM现已上市，并将於2024年下半年开始大量出货。