全球氮化??（GaN）功率转换产品供应商Transphorm 发布一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案针对中低功率的应用，适用於LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竞电脑，强化公司在此30亿美元电力市场客户的价值主张。

不同於同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位元电路，Transphorm 的 SuperGaN FET由於可以与市售的驱动器搭配使用，更易於驱动。新款解决方案采用高速、非隔离式、高电压半桥栅极驱动器，在不影响 GaN FET 或系统性能的情况下，进而降低了系统总成本。

Transphorm业务发展和市场行销高级??总裁Philip Zuk表示：「能够根据需要来选定驱动器，对客户来说是一个非常重要的优势。客户可以为不同性能优势权重的设计挑选相应的驱动，从而更好地控制电力系统的成本。这对价格敏感的终端市场尤为重要。Transphorm 的GaN能够提供更高性能，采用我们的氮化??器件，客户可以根据最终结果来挑选BOM，从而以极隹的成本效益实现所需的性能。」

电源适配器、电竟笔记型电脑充电器、LED照明、以及两轮车和三轮车充电等中低功率应用对价格敏感，这些产品中的电源系统通常不需要类似安全隔离这样的先进功能，使用高阶的驱动器可能导致BOM成本不必要升高。

该半桥栅极驱动器采用 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封装器件 TP65H070LSG 进行测试。可用於桥式拓扑结构，如谐振半桥、图腾柱 PFC、正弦波逆变器或有源箝位元反激式电路。

测试结果显示，无论是否使用散热器或强制空气进行冷却，该低成本的驱动解决方案在低於/等於150kHz 的开关频率下均运行良好。此解决方案最终在选定的配置中实现了接近 99% 的效率。