新思科技及Silicon Metrics Corporation十日宣佈推出其記憶體特性分析解決方案。這套方案是以新思科技的NanoSim作為多層級混合信號模擬器及Silicon Metrics的SiliconSmart MR作為開發基礎，並且充分運用了 NanoSim的階層式陣列減化 (HAR) 技術及SiliconSmart MR的記憶體特性分析和塑模工具，可隨時提供設計單晶片系統 (SoC) 所需的記憶體模型。

目前大多數SoC設計都含有多顆嵌入式記憶體，其容量可從數千位元組到數十萬位元組。設計SoC時，設計人員通常會使用編譯好的記憶體模型，但這些模型必須重新進行特性分析，以確保無錯誤而且可以隨時生產。NanoSim 和 SiliconSmart MR共同研發出一套全自動解決方案，可以有效而且精確地執行重新分析記憶體特性的工作。

「NanoSim獨特的HAR技術可迅速而且精確地模擬所有記憶體，不需要一一比對線路圖，這項特性使NanoSim成為 SiliconSmart MR最理想的平台，」Silicon Metrics的總裁暨執行長凱藍卡賓特說道。「這個方案可以有效解決目前執行記憶體特性分析時遇到的困難，使客戶立即獲得最大的投資報酬。」

SoC設計人員可以立即安裝SiliconSmart MR和NanoSim提供的特性分析工具，並且使用這些工具進行模擬，塑造出高品質的嵌入式記憶體模型。此外，SiliconSmart MR還能讀取和寫入以業界標準Synopsys Liberty(.lib) 格式製作的計時模型，這項功能可加快下游應用業者的再利用速度。

「NanoSim是一種用於混合信號及記憶體設計驗證的單晶片多層級模擬器，」Synopsys負責毫微分析暨測試小組的資深副總裁暨安東多米克說道。「SiliconSmart MR和NanoSim的合作為Synopsys的設計流程帶來了優質精確的計時及功率模型，我們也建議客戶們採用SiliconSmart MR和NanoSim共同開發的嵌入式記憶體特性分析與塑模解決方案。」