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聯電與迅慧共同完成90奈米SRAM原型開發
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年07月03日 星期四

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晶圓大廠聯電轉投資的IC設計業者迅慧科技(HBA),日前宣布已與聯電共同完成90奈米高速靜態隨機存取記憶體(SRAM)之原型晶片,預計今年下半年可進行量產,聯電企圖以此產品提升在電信通訊市場的接單能力與市占率。

據經濟日報報導,迅慧是聯電近年轉投資成立的重要IC設計公司,由原先負責聯陽半導體的黃財旺擔任董事長兼總經理;黃財旺表示,90奈米高速SRAM的研發成功,除證明迅慧設計團隊的能力與聯電之製程技術水準,亦希望以此產品使迅慧的同步SRAM營收在電信通訊產業市場中大幅成長。

該90奈米高速SRAM原型,在核心電壓範圍介於0.8V-1.4V及低電流下,仍具備高執行效能的特色。此SRAM原型可應用於未來的系統單晶片整合,符合迅慧高密度ZeBL(Zero Bus Latency)SRAM系列產品的標準;目前第一批晶圓已成功通過驗證,預計在下半年可進入量產。

關鍵字: 聯電  動態隨機存取記憶體 
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