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2006年矽鍺可望成長率達55%
耗電問題有待克服

【CTIMES/SmartAuto 謝馥芸 報導】   2002年09月11日 星期三

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根據Silicon Strategies報導,Semico Research預計未來有更多的通訊應用產品,將朝高效率、低耗能發展,2002~2006年矽鍺(SiGe)技術需求將持續增高,矽鍺出貨量年複合成長率(CAGR)可望達到55%。美國半導體設備商Applied於今年2月時曾表示,雖然SiGe技術可製作下一代高速通訊晶片,但是該技術仍有耗電問題無法解決,可能將使製造商回頭使用傳統的CMOS技術。

2000年是通訊市場景氣大好時期,矽鍺技術也順勢成為發展通訊元件主要製程之一,IBM與台積電即推出矽鍺製程服務,德商Communicant與晶圓代工廠特許也同時推出該製程,以搶佔該市場商機。今年台積電除了矽鍺製程外,於去年底成立無線通訊市場行銷部門負責拓展市場。台積電目前具備0.35微米製程技術,預計2003年第一季推出0.18微米製程。

關鍵字: 矽鍺  Applied  IBM  台積電(TSMCCommunicant  特許半導體(Chartered Semiconductor, 特許
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