新一代之記憶體產品技術之研發，是全球半導體業者關注的焦點。日本松下電子（Matsushita）宣佈該公司已開發0.18微米製程之嵌入式鐵電記憶體（FRAM）；此外IBM微電子與英飛凌（Infineon）合資之歐洲半導體業者Altis，亦積極努力將新一代記憶體──磁性隨機存取記憶體（MRAM）由實驗室導入商業化。

據網站EE Times報導，松下之FRAM新產品較過去以0.35製程生產的FRAM記憶容量更大，可內建於系統單晶片（SoC）元件中，此外堆疊式構裝方法也將記憶體單元大小減少到只有之前FRAM的十分之一；該元件執行電壓為1.1V並採用環保無鉛材料，預計樣品在8月推出，目標市場為行動電子設備和網路設備。

而最近獲得法國和當地政府2500萬歐元（2830萬美元）的資助後，Altis期待成為首批將新一代記憶體MRAM由實驗室導入商業量產的公司之一。該公司表示，法國政府為期三年的資金補助將於9月入帳，屆時將用以設立研究中心並計畫在2005年進行MRAM的商用化生產。

法國為成為歐洲半導體研發中心，積極在新型記憶體包括MRAM的開發和生產工作。MRAM被預期是整合了現有儲存技術特色之新一代記憶體，它具備DRAM的高密度特色、SRAM的高速度特色和快閃記憶體的非揮發性。主要挑戰是製造商如何採用新型材料和新製程技術更快更經濟地掌控MRAM生產。