不受歐美市場制裁影響，韓國DRAM廠Hynix與意法半導體（ST）合作，共同宣佈攜手投入NAND快閃記憶體市場。根據協議，Hynix與ST將共同開發全系列NAND產品，預計2003年下半年推出512MB的產品，並由雙方共同銷售產品。

ST的快閃記憶體部總經理Mario Licciardello表示，ST的重心一直在NOR快閃記憶體，現在ST決定將快閃記憶架構擴充到NAND設備，準備以低成本、高密度的資料儲存市場邁進。

另外，日商東芝推出適用於數位相機、PDA和手機等的2Gb、單片NAND快閃記憶體樣品，該產品是由東芝與SanDisk聯合開發，採用0.13um製程製造。東芝還宣佈於今年將推出4Gb的NAND快閃記憶體。