外電消息報導，英特爾（Intel）和美光（Micron）科技日前共同宣布，由雙方所合資的企業IM Flash新開發出一種的快閃記憶體架構。此新的架構為8GB單層式儲存NAND快閃記憶體晶片，讀取速度可達每秒200MB，寫入的速度達每秒100MB，較現今的固態硬碟及繪圖卡的傳輸速度更快。

美光科技發言人Kirstin Bordner表示，隨著數位錄影機的和視訊點播服務的日益普及，記憶體的讀寫速度也面臨了挑戰。而此新的高速NAND快閃記憶體，其傳輸高解析電影的速度，較傳統的NAND快閃記憶體速度快五倍。

Bordner指出，新NAND快閃記憶體晶片的架構和讀寫電路的改變，是提高NAND晶片速度的主要原因。此晶片達到了ONFI（開放NAND快閃記憶體介面）2.0技術規範定義的速度。

報導指出，目前美光科技正在生産這種高速NAND快閃記憶體的樣品，預計在2008年下半年可以進行量產。