根據外電報導，海力士、三星電子計畫將分別於今年第3季、第4季將NAND Flash移至中國無錫廠及美國奧斯汀廠生產。

三星電子計畫將NAND Flash移至美國奧斯汀廠生產，以改善與當地國的貿易關係，並做好當地客戶管理。日前三星電子表示，三星不會效倣英特爾（Intel）在中國建設晶片工廠，中國雖然是一個正在發展的半導體市場，不過目前也是一個低價格、低水準的市場。三星電子將繼續擴大目前在海外的唯一的晶片工廠，位於美國德克薩斯州的奧斯汀工廠，因為這個工廠接近美國的高端客戶，附近也有受教育程度很高的人力資源。

奧斯汀廠位於美國最大的晶片生產地區裡，將用來生產各種不同的動態隨機存取記憶體（DRAM），這也是桌上型與筆記型電腦上常用的記憶體。此次計畫增設的第二條12吋（300㎜）專用生產線，預定主要用來量產NAND Flash，產品可望於年底出貨，三星電子希望藉此與美國當地客戶達成良好溝通，做好客戶管理，並透過當地生產，進行貿易糾紛管理，達到改善與美國貿易關係的效果。

至於海力士則是在合作夥伴意法半導體的邀請之下，計畫最快於第三季在中國無錫廠的12吋生產線，生產採用60奈米製程的NAND Flash產品，無錫廠目前共有8吋及12吋共2座晶圓廠，專門生產DRAM產品，最近12吋廠的產能正在擴增當中，若是無錫廠擴產，將生產Nand Flash。