帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
總有一天等到你 iPhone 4元件拆解大搜秘!
 

【CTIMES/SmartAuto 鍾榮峰 報導】   2010年06月24日 星期四

瀏覽人次:【5369】

iPhone 4才剛現身不久,各界就對內部零組件的成份不斷抱持高度好奇。現在已經有電子產品專業拆解網站,拿到了iPhone 4樣機,並進行鉅細靡遺的拆解,揭開iPhone 4內部關鍵零組件的神秘面紗。

大致上來看,iPhone 4元件的主要組成內容包括三星和Numonyx的記憶體、意法的陀螺儀和加速度計、博通和Skyworks的射頻元件、德州儀器的觸控控制器、康寧的玻璃面板等等。

美國電子產品拆解網站iFixit便對iPhone 4進行完整的拆解作業。首先在硬碟容量方面,iPhone 4所強調的32GB硬碟容量,實際上真正可供使用者儲存的空間只有28.77GB,還有301MB容量的資料已經先被內嵌於硬碟當中,是採用三星的快閃記憶體K9PFG08。至於iPhone 4的電池內容則是3.7伏特、每小時1420毫安培(mAh)的鋰聚合物(Li-Polymer)電池。

iFixit進一步拆解後發現,iPhone 4內部邏輯元件板緊緊地被電磁波防護設計(EMI Shielding)所保護,內嵌於iPhone 4的右方。也因此在先前短暫的使用經驗中,iPhone 4裝置的右方摸起來也會比較溫熱。另外,天線和麥克風元件位於iPhone 4下方,而天線設計則整合UMTS、GSM、GPS、Wi-Fi和Bluetooth功能,在設計上蘋果把通訊天線放置於不鏽鋼框架的內緣。iFixit認為,這般的設計可因應先前iPhone在通訊上所遇到的通話品質不佳(dropped calls)和天線接收受限的缺陷。這樣在有限的通訊網路覆蓋範圍裡,iPhone 4的通訊可靠度將能有所提昇。iPhone 4似乎也進一步跟隨Google Nexus One手機的雙麥克風設計,來降低環境背景噪音並強化音訊品質。

對於iPhone 4的核心重地邏輯元件和記憶體部份,iFixit也有鉅細靡遺的分析。不同於iPhone 3GS和iPad的記憶體只有256MB,iPhone 4的快取記憶體容量有512MB,NOR和DDR記憶體則是採用Numonyx的36MY1EE產品。最重要的處理器部份,以往iPhone 3GS所採用的是三星S5PC100晶片,以ARM Cortex- A8為架構核心,處理效能為600MHz,iPhone 4的A4處理器同樣也是以ARM-Cortex A8為核心,處理效能則可達1GHz。

而在A4處理器的左方有一顆AGD1晶片,iFixit評估這就是3軸陀螺儀元件,並指出此元件是由意法半導體(ST Micro)所設計並製造。且從封裝上的型號L3G4200D來看,此款陀螺儀元件才剛推出進入商業化階段,蘋果的iPhone 4就已經捷足先登了。另除了3軸陀螺儀之外,iPhone 4也採用意法的三軸加速度計STM33DH。

此外在iPhone 4的主板正面上,還包括無線通訊射頻模組廠商Skyworks所提供的GSM/GPRS前端模組以及GSM/GPRS的雙模收發器,此收發器可支援880~915MHz和1710~1785MHz頻段。功率放大器則採用TriQuint的產品。至於在主板的背面,則是內建混合類比訊號晶片廠商Cirrus Logic的音訊編碼器和AKM的磁感測器,Cirrus Logic的音訊編碼器同樣也被應用在iPad產品。

值得注意的是,觸控面板控制器則是採用德州儀器(TI)的343S0499晶片,而玻璃面板則是採用康寧(Corning)的Gorilla Glass,LCD面板、玻璃和數位轉換器(digitizer)則是緊密地結合在一起。整合Wi-Fi、Bluetooth 2.1+EDR和FM的Combo晶片BCM4329FKUBG則是由博通(Broadcom)提供,iPhone 4進一步採用博通的GPS單晶片接收器BCM4750IUB8。

關鍵字: iPhone 4  Apple  iFixit  三星(SamsungBroadcom  ST(意法半導體Skyworks  TI(德州儀器, 德儀Numonyx  Corning  電子資材元件  微處理器  無線通訊收發器  微控制器  動態隨機存取記憶體  快閃記憶體  行動終端器 
相關新聞
三星發表ALoP相機技術 讓夜拍更清晰、手機更輕薄
ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值
ST:AI兩大挑戰在於耗能及部署便利性 兩者直接影響AI普及速度
意法半導體公布第三季財報 業市場持續疲軟影響銷售預期
意法半導體STM32C0系列高效能微控制器性能大幅提升
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» Crank Storyboard:跨越微控制器與微處理器的橋樑
» 揮別製程物理極限 半導體異質整合的創新與機遇
» AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.117.71.213
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw