帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
國內業者將聯合提出反韓DRAM傾銷訴訟
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年04月17日 星期四

瀏覽人次:【4105】

繼美國與歐盟因韓國DRAM業者接受韓政府不當援助、違反市場公平交易原則,而建議對其產品課徵懲罰性關稅之後,國內多家DRAM業者日前亦發起簽署聯合聲明,以南韓政府不當補助該國DRAM廠的相同理由,呼籲我國政府向韓國DRAM業者徵收合理的懲罰性關稅。

據工商時報報導,包括南亞科、華邦、力晶、茂矽等國內四家DRAM業者日前共同集會,決議聯合國內所有記憶體業者共同簽署一項聯合聲明,呼籲政府以南韓政府不當補助韓系DRAM廠的現況,跟隨美國與歐盟的腳步向韓系DRAM廠課徵合理懲罰性關稅;此一行動是台灣DRAM業者首次提出的反傾銷控告。

該報導指出,全球DRAM業者在連續兩年的市場不景氣中均遭受嚴重虧損,但韓系DRAM廠三星(Samsung)、Hynix等業者,卻在南韓政府政策性支持下不斷擴充產能,並以低於總成本的價格外銷。據市調機構Dataquest統計,去年三星與Hynix之DRAM產出全球43%的市場佔有率,對價格握有絕對性的主導權。為此德國DRAM業者英飛凌與美國DRAM大廠美光,在去年分別向歐盟及美國商務部,提出韓系DRAM廠非法傾銷的控訴。

今年歐盟、美國商務部陸續宣佈因調查結果確認韓系DRAM廠接受南韓政府補助,而分別建議對韓國DRAM廠Hynix的DRAM產品課徵高達30%~35%與57.37%的懲罰性關稅。由於市場預期未來Hynix在此一狀況下,將把現貨轉向台灣傾銷,所以台灣四家DRAM廠便決定向政府提出控告南韓政府不當補助韓系DRAM廠訴訟。

關鍵字: 南亞科  華邦  力晶  茂矽  動態隨機存取記憶體 
相關新聞
華邦推出穿戴裝置和低功耗物聯網設備專用1.8V 1Gb快閃記憶體
力旺電子NeoFuse成功導入華邦25奈米DRAM製程平台
NOR Flash市場穩定健康 華邦專注汽車與工業應用
力晶斥資2780億元興建12吋新廠 躋身晶圓代工3雄
華邦電:2018年DRAM和Flash供需仍將持穩
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP7ZI33ESTACUKY
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw