根據媒體報導，不少半導體設備廠與後段測試廠，對目前多家國內DRAM廠宣布即將進行新舊製程轉換的說法，仍持保留態度，表示新製程良率其實仍不穩定，產能大量轉換成新製程的時間點應會延遲至第四季末才進行。

由於包括三星、南亞科、力晶、茂德等國內外DRAM廠，近來相繼宣佈0.13微米新製程良率獲得重大突破，所產出的良品DRAM顆粒數，已經超過舊製程所產出的DRAM顆粒數，由於採用新製程已具經濟規模與成本效益，因此第三季末可開始進行新舊製程大幅轉換工作。

但是不少半導體設備廠與後段測試廠，卻對此一說法態度保留，表示DRAM廠新製程良率其實仍不穩定，現在進行大規模的新舊製程轉換風險很大，DRAM廠產能大量轉換成新製程的時間點，應會延遲至第四季末。

部分前段製程設備廠業者指出，一般在八吋晶圓上以0.18微米舊製程量產128Mb DRAM，產出良率已達九成以上，產出顆粒數約達四百五十顆，而以0.13微米新製程量產相同容量DRAM，雖然單片晶圓產出數量可增加30％，但若良率未達70％以上，產出顆粒不會超過舊製程。