據外電報導，全球第三大晶片供應商意法（STMicroelectronics），宣佈已成功開發可激光（Light Emitting）矽技術，該技術可應用於更高階的處理器、車用零組件或是光纖數據傳輸系統。

意法指出，該公司開發出來的技術，可使可激光矽的效率提昇約100倍，幾乎可與傳統的砷化鎵等可激光二極體材料相抗衡。意法預計在2002年底前即可有相關產品上市。

意法研發人員提高可激光矽亮度的方法，是在矽晶圓上植入鉺（Erbium）及鈽（Cerium）離子，而由於植入元素的不同，激發出來的光譜也會因此出現差異。

意法開發此技術的主要目的，是希望以光來控制晶片內的時脈；以往晶片內的時脈是透過電路傳送脈衝訊號，在晶片體積增加、訊號路徑拉長的情況下，時脈訊號也會出現延遲。

此一技術將率先使用於電力控制裝置上，以往的電力控制電路與電力交換裝置的連接是靠外部零組件，在採用新技術後可省下大筆成本。而未來意法也打算將此一技術應用在更多不同用途的晶片上。