根據外電報導，全球DRAM大廠南韓三星電子（Samsung）近來增加投資動作不斷，尤其對於12吋晶圓廠之擴產十分積極；繼2002年底計劃斥資12億美元添購該公司12吋廠之生產設備，日前又宣佈將再投入4.3億美元以提昇該廠記憶體產能。

SBN網站引述消息人士所透露之南韓財務監督委員會報告指出，三星是於董事會中通過最新投資案，將加碼投資5050億韓元（約合4.3億美元）於漢城南方京畿道華城的Fab 12，以提升該12吋晶圓廠在DRAM及快閃記憶體方面的產能。

據市調機構IC Insights最新報告指出，三星在2003年半導體資本支出方面高達34.4億美元，雖次於英特爾（Intel）的37億美元位居第二，但資本支出成長率卻高達96％，反觀英特爾則為負成長21％，三星意圖爭取全球半導體第一大廠之企圖心可見一斑。

除Fab 12的加碼投資，另一市調機構Strategic Marketing Associates總裁George Burns亦指出，三星接下來應會展開該公司另1座12吋晶圓廠Fab13的設備添購，以及增加另一座生產邏輯晶片之12吋新廠之投資規劃。