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三星推出全球首款30奈米快閃記憶體晶片
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2007年10月24日 星期三

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外電消息報導,三星電子(Samsung)於週二(10/23)宣佈,已開發出全球上第一個使用30奈米製程生產的NAND快閃記憶體晶片,能大幅提昇現今快閃記憶體的儲存容量,首款生產的晶片容量為64GB。

據報導,三星在證管會的文件上表示,該款64GB的NAND快閃記憶體晶片可用於128GB的記憶卡上,屆時僅需一張記憶卡便可儲存120小時DVD解析度的影片。

該NAND晶片採用了三星新創的自排列雙成型技術(SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology),透過兩次成型的方式,突破晶圓印刷的瓶頸,達到30奈米的製程。三星表示,此技術將大幅提升在現在技術下的製程極限。

三星表示,這款新型NAND將要到2009年才會開始進行生產,只要用來製作128GB的記憶卡,三星也預測,2009年到2011年間,隨著行動手持設備、數位相機與MP3播放器的成長,這種新晶片將達到200億美元的市場。

關鍵字: 三星(Samsung快閃記憶體 
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