羅契斯特（Rochester）大學的研發人員發明一種新的「彈道參數計算」晶體設計，採用這種設計方法可以製造速度達兆赫的電晶體，處理速度快而且發熱量很小。該大學電腦工程教授Marc Feldman表示，這種「彈道偏轉電晶體」（The Ballistic Deflection Transistor-BDT）設計所帶來的變化是根本性的。

彈道偏轉電晶體示意圖 (Source : Unveristy of Rochester) BigPic:599x426

標準電晶體不斷縮小的歷程中，存在一個難以克服的問題。按照當前的電晶體設計，電容層在尺度極小的時候會出現問題，而BDT沒有有電容層。提出這個設計思路的該校研究生Quentin Diduck稱BDT是從繼電器、電子管和半導體之後技術進化軌跡的下一發展階段。

據Rochester大學稱，BDT利用電子傾向於「游離」的慣性將電子彈入選定的彈道，而不是用強制性外力將其放入合適的位置。它的功能更像是電子的一個交接點，而不是一個耗費能量來停止或啟動電子的裝置。正是採用這種方法，能量消耗量要求大大降低。

羅契斯特（Rochester）大學成立於1829年，是一間強調職業教育的私立大學，位於Rochester的郊區，Rochester是New York第三大的都市，擁有以科技為基礎的強大經濟背景，也是全美排名前十的輸出城市。