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日本半導體廠增加設備投資以提昇LSI產能
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年09月24日 星期三

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據工商時報引述日本經濟新聞報導,日本半導體大廠將以補強LSI(大型積體電路)部份生產線的方式擴大產能,以因應數位家電對晶片需求的增加;NEC計劃在兩年以增加設備的方式提升三成產能,而東芝亦將在九州大分工廠增加尖端LSI的產能。

該報導指出,LSI是在矽晶圓上透過曝光、蝕刻、成膜等3至4百道工程以形成電路。隨著線路的微細化,使得製造過程中絕緣膜形成的能力不足(與前、後段工程比較),而使整體產能的擴增出現障礙。

為克服此一瓶頸,NEC將在其山形與九州廠公司追加絕緣膜工程設備。預期在2005年春季將產能提高三成。東芝則經決定在大分工廠增強銅配線工程的能力,增加130奈米以下的先進製程LSI的產量,投資額估計為50億日圓以上。

報導指出,全球半導體需求復甦,許多半導體業者料將提前實施原先的投資計劃以消弭瓶頸,同時也可預見部分廠商將會向上修正設備投資額。

關鍵字: NEC  東芝(ToshibaLSI 
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