手機晶片大廠高通(Qualcomm)在開發LTE晶片往前邁進一步!高通確定今年將推出28奈米製程的多模LTE晶片,除了與宏達電合作推出LTE智慧型手機外,近期也計畫與OEM廠商合作推出支援LTE的平板裝置。同時,高通更積極進軍中國TD-LTE市場,推出同時整合FDD/TDD、以及3G和EDGE規格的TD-LTE晶片。
|
高通大中華區業務發展副總裁沈勁表示,28奈米的LTE晶片組,將瞄準智慧型手機和平板市場。 |
在出席台灣4G無線寬頻研討會上,高通大中華區業務發展副總裁沈勁表示,28奈米的LTE晶片組,將瞄準智慧型手機和平板市場,除了宏達電之外,高通也會深化與華寶通訊的合作廣度。在小筆電領域,高通也會繼續和華碩和宏碁密切合作。
沈勁進一步指出,100美元價格甚至以下的智慧型手機產品,將成為新興市場另一波的新商機,因此能夠整合更多無線通訊標準、具有價格競爭力的多模晶片,才有機會掌握這波中低階智慧手機的發展趨勢。未來LTE晶片勢必以多模架構為主流,非對稱(unpaired)的多時分工(Time Division Duplex;TDD)技術,可大幅降低LTE晶片功耗,並更有效地利用雙核心處理器資源。
確定在今年將會推出樣品的新款28奈米多模LTE晶片組,整合HSPA、CDMA2000 EV-DO Rev.2和EDGE等規格,統統包辦了2G~3.9G無線通訊標準,同時也結合WLAN、GPS、藍牙和FM等無線連結功能。這款雙核LTE晶片除了處理效能可達1.4GHz之外,也強調多媒體和繪圖處理的能力。
中國移動通信研究院副院長王曉雲在台灣4G無線寬頻研討會上也指出,目前除了高通之外,包括三星、邁威爾(Marvell)、ST-Ericsson、Sequans、Beceem(現為Broadcom所併購)、Altair Semiconductor、Wavesat、Nokia、LG和聯發科等,以及中國的海思(Hisilicon)、創毅視訊(Innofidei)、重郵信科(CYIT)、展訊(Spreadtrum)、中興和大唐等,都已經具備清楚的多模LTE晶片架構發展輪廓。
這些正在投入的LTE晶片商,大部分都朝向整合對稱(paired)分頻多工(Frequency Division Duplex;FDD)和非對稱分時多工(TDD)架構,並且進一步整合EDGE、TD-SCDMA或是UMTS等多模無線通訊標準。