帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
美光與昇陽合作開發快閃記憶體 讀寫達100萬次
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2008年12月20日 星期六

瀏覽人次:【4907】

美光科技(Micron)上週四(12/18)宣佈,與昇陽電腦合作開發新的單層單元(SLC)企業級NAND技術。該技術能夠大幅延長企業級快閃記憶體使用壽命,可重複寫入次數達100萬次。

美光記憶體事業部副總裁Brian Shirley表示,美光很高興能與昇陽合作取得這一里程碑的成績,讓快閃記憶體擺脫過去標準單層單元和多層單元NAND在可寫入/抹除次數的限制,並使用在新的產品上。美光相信,這項技術將徹底改變企業儲存的架構,並廣泛應用在SSD與儲存系統、磁碟快取,以及網路和工業應用等各種事務密集型應用。

昇陽快閃記憶體首席技術專家Michael Cornwell表示,隨著市場上企業級SSD快閃記憶體技術的不斷成熟,昇陽將把技術創新與下一代開放原始碼軟體相結合,推出採用快閃記憶體的儲存產品。這類產品的形式大為簡化,性能也有明顯突破,但成本遠低於傳統的磁片儲存系統。

目前美光所提供的企業級NAND快閃記憶體試用產品,儲存密度最高達32Gb。預計在2009年第一季投入量產。此外,美光還準備在明年初,使用34奈米NAND製程,推出SLC和MLC這兩種規格的企業級NAND產品。

關鍵字: NAND Flash  SSD(Solid State Drive, 固態硬碟美光  昇陽  Brian Shirley  Michael Cornwell 
相關新聞
美光高速率節能60TB SSD已通過客戶認證
慧榮獲ISO 26262 ASIL B Ready與ASPICE CL2認證 提供車用級安全儲存方案
Crucial擴展DDR5 Pro電競記憶體產品組合 為遊戲玩家提供更快速度
美光超高速時脈驅動器DDR5記憶體產品組合 可助新一波AI PC發展浪潮
美光公布全新品牌識別 以嶄新形象迎接創新機遇
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 最佳化大量低複雜度PCB測試的生產效率策略
» 先進封測技術帶動新一代半導體自動化設備
» AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸
» 確保裝置互通性 RedCap全面測試驗證勢在必行


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP6U17ZQSTACUKF
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw