日本東芝（TOSHIBA）近日密集地公布與其他知名半導體廠商、合作設計開發先進半導體製造技術的計畫，有意與日立（Hitachi）、三星（Samsung）及英特爾（Intel）相互抗衡。

據報導，2月初東芝、NEC與新力（SONY）共同宣布將整合研發資源，計畫繼Intel之後聯合開發0.045微米晶片製造工藝技術。NEC的發言人索菲向媒體表示，此階段0.045微米晶片製造工藝技術的研究方向，將因應未來數字影音和行動設備的市場趨勢，因為對其而言，提升高速傳輸和低耗電量的功能是極其關鍵的。

東芝和新力在二年前就曾宣佈聯合開發0.045微米工藝，去年2005年11月份東芝與NEC也達成了相似的協議，當時業界便傳言三家公司即將聯手開發晶片製造技術。根據日前公佈的計劃，NEC工程師將與已在東芝先進微電子中心工作的大約150名新力和東芝技術人員相互合作。計畫中並未披露何時完成開發工作的時間表，但協議的有效期是到2007年9月份為止。

緊接著在2月7日，IBM、新力與東芝亦聯合宣布，將聯手開發0.032微米的新一代大型積體電路（IC），並具體規劃在2013年開始市場量產，就是為因應與Samsung和Intel的另一波競爭態勢。這3家公司並非首次合作，過去5年他們曾在0.090微米和0.065微米的晶片研究上，擁有深厚的共同研發經驗。他們再度計畫於今後5年內，整合各部門有關研究開發人員，集中至IBM在紐約的研究基地，開發0.032微米大型積體電路所必備的基礎技術。其中，東芝集中火力在提升加工技術和製造能力方面；Sony則是發揮整合多樣化的半導體製程技術、以及深入瞭解消費者市場動態的優勢；IBM則繼續提供其在研究材料技術的寶貴經驗。