為了增加NAND Flash快閃記憶體的供給，包括國際大廠三星、SK 海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產以增加產能之際，美商記憶體大廠美光（Micron）也宣布擴產，以補足市場供不應求的缺口。

美光指出，繼目前在新加坡擁有 Fab 10N、Fab 10X 兩座 NAND Flash 快閃記憶體工廠之後，將在當地興建第 3 座 NAND Flash 快閃記憶體工廠。新工廠的占地面積約 16.5 萬平方公尺，計劃 2019 年年中前後完工，2019 年第 4 季開始投產。

不過，美光沒有公布新工廠的具體投產 NAND Flash 快閃記憶體類型和產能。但是，根據外界的預估，其投產的 NAND Flash 快閃記憶體產品類型，應該是現有 64 層堆疊快閃記憶體的下一代產品。

另外，美光除了宣布將在新加坡興建第 3 座 NAND Flash 快閃記憶體工廠之外，美光還表示，將在新加坡擴大當前的研發規模，這將使得當地員工總數，有望從目前的 7,500 人增加到 1 萬人以上。

除了美光在 NAND Flash 快閃記憶體的發展外，在 DRAM 方面，值得一提的是，不久之前，美光的台中工廠也因為供氮設備出現電路問題，發生氮氣供應故障的情況，影響到部分的產品。對此，美光執行長 Sanjay Mehrotra 在之前的法說會也已經證實此事。

Sanjay Mehrotra 表示，氮氣供應受阻事件恐將導致美光本季 DRAM 產出減少 2% 到 3%。而美光已經將相關故障設備被送往美國進行維修，並於日前重新回到工廠，並且在 4 月份開始重新投入生產的工作。

參考：科技新報