隨著無線、消費性、運算和企業應用製造商開始使用 NAND 快閃記憶體作為主要儲存方案，從平板電腦到應用快閃記憶體的筆記型電腦，高階智慧型手機，資料中心伺服器等，各種應用模式都大異其趣，也需要不同類型的 NAND 快閃記憶體。在競爭計列的記憶體產業裡，廠商多半習慣縮小產品尺寸來降低成本，然而現在可能碰到了一些問題。

美光 NAND 解決方案事業群副總裁 Glen Hawk 表示，NAND 製程微縮的速度促成產業前所未見的大幅成長與成功，有助於發展新的快閃記憶體解決方案。但是， NAND 製程微縮的優勢雖顯而可見，然而傳統NAND已經面臨製程微縮問題，技術管理難度的提高也帶來了挑戰。

目前業界所碰到的兩大問題，首先是Flash可讀寫的次數會逐漸減少，以及錯誤管理技術門檻不斷拉高，其中又以後者為急劇增加。推論其中原因，是源於隨著產業逐漸超越了 20nm 的規格，快閃記憶體管理也日趨困難，由於位元錯誤 (bit error) 情況大幅增加，影響 NAND 快閃記憶體的運作效能和可靠性。市場研究機構 Forward Insights 的創辦人及首席分析師 Greg Wong就指出，產業不斷透過縮小產品尺寸來降低成本，如何能夠維持系統的效能和耐受度是個考驗。

美光新款的快閃記憶體裝置採用傳統的 NAND 晶粒介面，製程則為25nmMLC，將錯誤管理技術整合在同一個NAND封裝內，持續提供客戶最大容量和最低單位位元成本 (cost-per-bit) 的快閃記憶體解決方案。可透過最少程度的協議調整 (protocol changes) 來解決主處理器上錯誤修正碼 (ECC) 產生的負擔。也就是說，不需要動用到CPU的的資源，就可延長未來NAND FLASH的產品壽命。